聚酰亞胺薄膜 PI膜

•聚酰亞胺薄膜主要由PMDA與ODA在極強(qiáng)性溶劑DMAC中發(fā)生反應(yīng)，經(jīng)過(guò)流延成型，高溫亞胺化形成聚酰亞胺薄膜，俗稱PI膜。萬(wàn)達(dá)微電子材料有限公司的PI膜具有優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕性，除熱堿外幾乎不受任何已知化學(xué)溶劑的腐蝕；電絕緣性能優(yōu)良，產(chǎn)品體積電阻可達(dá)1016Ω∙cm，常溫下?lián)舸╇妷嚎蛇_(dá)到330V/μm；耐高、低溫性能優(yōu)良，能夠在-60℃ -- +180℃范圍內(nèi)長(zhǎng)期使用；耐輻射性能突出，經(jīng)107Gy劑量的γ射線照射后，電性能基本不變，部分實(shí)測(cè)值接近或超過(guò)了杜邦要求。

•WF系列產(chǎn)品：屬低熱膨脹系數(shù)產(chǎn)品。除具有PI薄膜產(chǎn)品的各種特性外，還具有更低的CTE、更高的自支撐能力和平整性。產(chǎn)品的CTE指標(biāo)，從普通PI膜的70-82ppm/℃降低到26-30ppm/℃,與銅的CTE接近，可以減少薄膜與銅箔在惡劣條件下的形變幾率；該產(chǎn)品優(yōu)良的自支撐能力，更有利于柔性線路板制作過(guò)程中良率的提高。

•WF系列產(chǎn)品更適合使用在FPC、太陽(yáng)能電池板及其他尺寸穩(wěn)定性要求較高的領(lǐng)域。