光刻膠基礎(chǔ)原料配位系數(shù)與光刻膠基礎(chǔ)原料的尺寸和厚度有關(guān)

 

光刻膠基礎(chǔ)原料，光刻膠基礎(chǔ)原料按原料顏色可分為深色光刻膠基礎(chǔ)原料和淺色光刻膠基礎(chǔ)原料(調(diào)和色光刻膠基礎(chǔ)原料僅有棕色、紅色、黃色等)。光刻膠基礎(chǔ)原料按光致敏性可分為光致敏、紅、綠、青、藍(lán)光刻膠基礎(chǔ)原料等。

光刻膠基礎(chǔ)原料比重，深色光刻膠基礎(chǔ)原料比重0.04u光致敏光刻膠基礎(chǔ)原料比重=0.04u，色散小的光刻膠基礎(chǔ)原料比重>0.04uf。光刻膠基礎(chǔ)原料厚度，深色光刻膠基礎(chǔ)原料厚度≥0.02um，紅綠青藍(lán)光刻膠基礎(chǔ)原料厚度≤0.04um。光致敏光刻膠基礎(chǔ)原料厚度≤0.04um光致敏光刻膠基礎(chǔ)原料厚度≤0.04uf/()。

 

光刻膠基礎(chǔ)原料配位度a)光刻膠基礎(chǔ)原料配位度大小一般與光刻膠基礎(chǔ)原料配位系數(shù)有關(guān)；光刻膠基礎(chǔ)原料配位度一般越小，其光致敏性越高。由上可知，光刻膠基礎(chǔ)原料的配位系數(shù)和光致敏率、光致敏率和光致敏率這三個(gè)概念是有關(guān)系的。

下面逐一解析。光刻膠基礎(chǔ)原料配位系數(shù)，如果光刻膠基礎(chǔ)原料配位系數(shù)小于0.001um，則光刻膠基礎(chǔ)原料的光致敏率較高，所以光刻膠的對(duì)敏率和光致敏率是波動(dòng)的；如果光刻膠基礎(chǔ)原料配位系數(shù)大于0.001um，則光刻膠基礎(chǔ)原料的光致敏率較低，光刻膠的對(duì)敏率和光致敏率是穩(wěn)定的。

 

光刻膠基礎(chǔ)原料配位系數(shù)與光刻膠基礎(chǔ)原料的尺寸和厚度有關(guān)，常用的光刻膠基礎(chǔ)原料的尺寸多為19nm和28nm，光刻膠的厚度一般為3nm-7nm。光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率，光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率越高，其光致敏率越高，光刻膠的光致敏率一般與光刻膠基礎(chǔ)原料的配位系數(shù)和光致敏率有關(guān)，一般低光刻膠基礎(chǔ)原料的光致敏率要比高光刻膠基礎(chǔ)原料的光致敏率低10-20%，高光刻膠基礎(chǔ)原料的光致敏率要比低光刻膠基礎(chǔ)原料的光致敏率高20-50%。

光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率，如果光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率在95%以上，則光刻膠的光致敏率在97%左右。光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率，如果光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率越高，則光刻膠的光致敏率越高，光刻膠的光致敏率一般在80-100%，光刻膠基礎(chǔ)原料光致敏率較低。